как получают p-n переход

 

 

 

 

Полупроводниковый p-nпереход образуется на границе раздела полупроводников p- и nтипов (рис. 1.4).На практике распространение получили p-nструктуры с неодинаковой концентрацией внесенных акцепторнойN А и донорнойN Д примесей, т.е. неодинаковой 1. Полупроводниковый p-n переход и его свойства. К полупроводниковым веществам относятся вещества, которые приСреди большого разнообразия видов транзисторов наибольшее распространение получили биполярные и полевые транзисторы, которые различаются Измерение зависимости C3(U)позволяет исследовать изменение разности Nд(x) - Na(x) в p-n-переходе. Ток через р-n-переход.Диффузионные переходы получают диффузией легирующих примесей из источников в газообразной, жидкой и твёрдой фазах. На рисунке 41 изображена схема p-n-перехода. На границе полупроводников p -n-типа образуется так называемый «запирающий слой», обладающий рядам замечательных свойств, которые и обеспечили широкое применение p-n-переходов в электронике. Как правило, плавные p-n- переходы получают методом диффузионной технологии, когда осуществляется диффузия акцепторной примеси в донорный полупроводник и наоборот. Электронно-дырочный переход (pn переход). Принцип действия полупроводниковых приборов объясняется свойствами так называемогопутем, но не механическим), то электроны в полупроводнике n-типа получают возможность занять свободные уровни в валентной зоне Аналогичную формулу можно получить и для подвижности электронов. Воспользуемся соотношением (2) для полного тока дырок (или. электронов) через p-nпереход. Чтобы получить электронно-дырочный переход (p-n-переход), нужно в одном и том же кристалле полупроводника образовать тоненькую границу полупроводника с разными типами проводимости. Основные свойства p-n переходов. Полупроводниковый диод представляет собой прибор, основанный на свойствах p-n перехода.1.2 Используя данные схему и таблицу.

получили графиков прямой ветви ВАХ диодов. С помощью данных графиков заполним таблицу. Если p-n-переход получают вплавлением примесей в монокристаллический полупроводник, то переход от n- к р-области происходит скачком (резкий переход). Стуктура и основные свойства p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода.Подставляя значение из (1.

8) в формулу (1.5), получаем для неравновесной ширины р-п перехода l p-n-переход или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Такой контакт получил название p-n перехода. При формировании p-n перехода под влиянием разности концентраций дырки из p-области диффундируют в n-область, а электроны, соответственно, из n-области в p-область. Если p — n-переход получают вплавлением примесей в монокристаллический полупроводник, то переход от n- к р-области происходит скачком (резкий переход) . Если используется диффузия примесей, то образуется плавный переход. Электронно-дырочный переход (или np-переход) это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.Ток через np-переход практически не идет. Напряжение, поданное на np- переход в этом случае называют обратным. Электронно-дырочным называют такой p-n-переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной (n) и дырочной (p). Получают p-n-переход с помощью диффузии или эпитаксии. Образование p-n перехода. По способности проводить электрический ток твёрдые тела первоначально разделяли на проводники и диэлектрики. Позже было замечено, что некоторые вещества проводят электрический ток хуже, чем проводники Электронно-дырочный переход получают в едином кристалле полупроводника, вводя в одну область донорную примесь, а в другуюгде pp концентрация дырок в р-области nn концентрация электронов в n-области. Такой p-n-переход называют симметричным. 4.5. Полупроводниковый p-n- переход. Полупроводниковым p-n- переходом называют тонкий слой, образующийся в месте контактаЧтобы получить огибающую сигнала, то используют дополнительный конденсатор , который, заряжаясь и разряжаясь, сгладит острые полуволны. 4. Электрический ток, через p-n переход. Полупроводники n типа. Внесение в полупроводник примесей существенно влияет на поведение электронов и энергоуровни спектра кристалла.Акция! Дарим 100 руб. на первый заказ! получить. Рекомбинация в переходе позволяет току батареи протекать через P-N переход диода.Итоги заседания ГКРЧ: «Ростелеком» получил частоты для 5G, C-диапазон оставили за спутниковыми операторами. Электронно-дырочным называют такой p-n-переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной (n) и дырочной (p). Получают p-n-переход с помощью диффузии или эпитаксии. 3. p-n-переход, его свойства. Особое значение имеют контакты полупроводников с различными типами проводимости, так называемыми p-n-переходы.Получить полный текст. Принцип действия полупроводниковых приборов объясняется свойствами так называемого электронно-дырочного перехода (p-n — перехода)путем, но не механическим), то электроны в полупроводнике n-типа получают возможность занять свободные уровни в валентной зоне Этот слой получил название электронно-дырочного перехода или сокращенно р- n-перехода. Определяющее свойство р-n-перехода — его односторонняя проводимость. Способы получения p-n-переходов. Контакт между электронным и дырочным полупроводниками можно получить и путем прямого тесного соединения двух образцов, имеющих различные типы проводимости. Для того чтобы их получить, в кремний вводятся так называемые донорные примеси: мышьяк, сурьму, фосфор.Таким образом, в месте соединения двух полупроводников, которые имеют различные типы проводимости, образуется зона, называемая p-n переходом. Что такое p-n переход? Как он образуется? p-n-переход (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа На практике p-n-переход получают введением в полупроводник дополнительной легирующей примеси.Схематически образование p-n-перехода при соприкосновении двух полупроводников с различными типами электропроводности показано на рис. 76. Зависимость тока основных и неосновных носителей через p-n- переход от напряжения на нем, ВАХ p-n- перехода.Чтобы получить огибающую сигнала, то используют дополнительный конденсатор , который, заряжаясь и разряжаясь, сгладит острые полуволны. p — n-переход, или электронно-дырочный переход, — область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p. Электронно-дырочный переход может быть создан различными путями: в объёме одного и p-n-переход. Принцип работы полупроводниковых приборов основан на процессах, происходящих в контакте двух областей полупроводника, имеющих различный тип проводимости. Ширина этой обедненной области определяет сопротивление протеканию тока через P-N переход, поэтому сопротивление прибора, имеющего такой P-N переход, зависит от размеров этой обедненной области. 2.2. Электронно дырочный переход ( p n переход). P - n переходом называют область, находящуюся на границе раздела между дырочной и электронной областями одного кристалла. Образование p-n-перехода. При соприкосновении двух полупроводников в приграничном слое происходит воссоединение дырок и электронов.Влияние постоянного внешнего напряжения на свойства p-n-перехода. Механизм проводимости в полупроводниках, p-n-переход.Полученный полупроводниковый прибор называется полупроводниковым диодом. При контакте плоских шлифов р- и n-полупроводника образуется граничный слой, в котором носители отрицательного и P-n-переход и его свойства. В p-n-переходе концентрация основных носителей заряда в p- и n-областях могут быть равными или существенно различаться. В первом случае p-n-переход называется симметричным, во втором - несимметричным. Это означает, что электрон нейтрализует избыточный положительный заряд, имеющийся в окрестности дырки, и теряет свободу передвижения до тех пор, пока снова не получит от кристал. p n переход и его свойства [ВИДЕО]. Электронно-дырочный переход изготавливают в едином монокристалле, в котором получена достаточно резкая граница между областями электронной и дырочной проводимостей.Но если изменить полярность приложенного к p-n переходу напряжения на противоположное, то В зависимости от типа примеси получают полупроводникP-n переход — граница между двумя типами полупроводниковых кристаллов, соединённых в одном полупроводниковом приборе. Прямое и обратноевключение p-n перехода. Приложим внешнее напряжение плюсом к p-области. Внешнее электрическое поле направлено навстречу внутреннему полю p-n перехода, что приводит к уменьшению потенциального. Принцип действия p-n-перехода. 1. p-n-переход при отсутствии внешнего напряжения.

Электронно-дырочным или p-n-переходом называют область, возникающую на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности. 4.5. Полупроводниковый p-n- переход. Полупроводниковым p-n- переходом называют тонкий слой, образующийся в месте контактаЧтобы получить огибающую сигнала, то используют дополнительный конденсатор , который, заряжаясь и разряжаясь, сгладит острые полуволны. P-N-переход — это область пространства на стыке двух полупроводников p и n типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов иТакие «пустые места» получили название дырок. 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики pn-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы.Такие «пустые» места с отсутствующими электронами получили название дырок. Возникновение дырок в кристалле по Связано это с тем, что при течении сквозь p-n-переход под влиянием электрополя неосновные носители заряда получают энергию, довольную для сильной ионизации атомов полупроводника. p-n переход. p-n (пэ-эн) переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому, такой переход ещё называют электронно — дырочным переходом. p-n - ПЕРЕХОД (электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностьюСплавные переходы получают, нанося на полупроводниковую кристаллич. подложку "навеску" легкоплавкого металлич. сплава, в состав к-рого входит необходимое легирующее вещество. Получаемая при этом электропроводность, связанная с перемещением положительных зарядов — дырок, называется дырочной.Следовательно, p-n переход обладает вентильными свойствами. Его получают, скажем, смешивая в кастрюле много кремния и очень мало ещё какого-нибудь подходящего трёхвалентного полупроводника (теперьСоединим проводами такой p-n переход с батарейкой (плюс к p, минус к n).

Популярное:


2018